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•產(chǎn)品描述:UNI2113S/P是高壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)使堅(jiān)固的單片結(jié)構(gòu)成為可能。邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級(jí)驅(qū)動(dòng)器交叉導(dǎo)通。傳播延遲匹配，以簡(jiǎn)化在高頻應(yīng)用中的使用。浮動(dòng)chan通道可用于驅(qū)動(dòng)n通道功率MOSFET或IGBT在高側(cè)配置，其工作電壓高達(dá)600伏。

•主要特點(diǎn):浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)用于引導(dǎo)操作;完全工作到+600V;容忍負(fù)瞬態(tài)電壓v /dt免疫;柵極驅(qū)動(dòng)供電范圍從10到20V;兩個(gè)通道都有欠壓鎖定;3.3V邏輯兼容;3.3V到20V的獨(dú)立邏輯供電范圍;邏輯與電源接地+5V偏移

•典型應(yīng)用:家用電器;工業(yè)應(yīng)用和驅(qū)動(dòng);電機(jī)驅(qū)動(dòng)器;直流、交流、PMDC和PMAC電機(jī);

•典型應(yīng)用電路: 

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