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•產(chǎn)品描述:UNI2113S/P是高壓，高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有獨立的高側和低側參考輸出通道。專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術使堅固的單片結構成為可能。邏輯輸入與標準CMOS或LSTTL輸出兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅動器具有高脈沖電流緩沖級驅動器交叉導通。傳播延遲匹配，以簡化在高頻應用中的使用。浮動chan通道可用于驅動n通道功率MOSFET或IGBT在高側配置，其工作電壓高達600伏。

•主要特點:浮動通道設計用于引導操作;完全工作到+600V;容忍負瞬態(tài)電壓v /dt免疫;柵極驅動供電范圍從10到20V;兩個通道都有欠壓鎖定;3.3V邏輯兼容;3.3V到20V的獨立邏輯供電范圍;邏輯與電源接地+5V偏移

•典型應用:家用電器;工業(yè)應用和驅動;電機驅動器;直流、交流、PMDC和PMAC電機;

•典型應用電路: 

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